当前位置:首页 >> 单项专利 >> 电子电路 >> 正文
集成电路的制造方法
打印】 【收藏本页
集成电路的制造方法
简介: 一种集成电路的制造方法,其是在硅半导体基板上制造集成电路元件的微影对准标记的制造方法。主要是在覆盖双井区域的氮化硅层完成之前,利用硅基板中央左右两侧各设置一个对准标记区域的方式,以进行对准,在氮化硅以后的层次,则恢复正常的十个对准标记区域的对准方式,以节省时间及维持制造加工的精确度。
全文:详细说明书附图共12页