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| 集成电路的制造方法 |
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| 集成电路的制造方法 |
| 简介： |
一种集成电路的制造方法。其步骤：在Ｐ型硅半导体基板上形成第一氧化硅垫层和第一氮化硅，并形成第一光阻图案，再蚀去第一氮化硅以形成第一氮化硅图案。然后，以第一光阻图案作为离子布植护罩以形成Ｎ掺杂区域。接着，形成第二光阻图案，并蚀去第一氮化硅图案以形成第二氮化硅图案，该图案位于Ｎ及Ｐ井区之间。以第二光阻图案作为离子布植护罩，在Ｐ型硅半导体基板形成Ｐ掺杂区域。再进行井区驱入以形成Ｎ及Ｐ井区，在井区驱入过程形成氧化物，使得在第二氮化硅图案跟氧化物之间形成阶梯以作为后续加工的对准标记。 |
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| 全文：详细说明书附图共10页 | | |
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