|
| 半导体集成电路及其制造方法 |
| 【打印】 【收藏本页】
|
| 半导体集成电路及其制造方法 |
| 简介： |
把本来所需金属布线层的层数不同的多个宏单元混合配置到同一ＬＳＩ芯片上，抑制布线电阻的增大，从而抑制电压降和布线延迟的增大。在ＬＳＩ衬底上形成的Ｎ（Ｎ≥３）层以上布线层的多种宏单元之内的至少一个宏单元，具备由第（Ｎ－２）布线层形成的布线图形，有第（Ｎ－１）布线层的第（Ｎ－１）层布线图形和第（Ｎ－１）层布线接触图形，与第（Ｎ－１）层布线图形相同的第Ｎ层布线图形和与第（Ｎ－１）层布线接触图形相同的第Ｎ层布线接触图形。 |
| |
| 全文：详细说明书附图共22页 | | |
|
当前位置：