一种制造低介电常数中间层的集成电路结构的方法

一种制造低介电常数中间层的集成电路结构的方法

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一种制造低介电常数中间层的集成电路结构的方法

简介：

一种含有低介电常数介质层的互连结构形成于集成电路的内部。与导电互连相邻的二氧化硅层部分被消除以露出氮化硅腐蚀停止层。在露出的氮化硅腐蚀停止层部分和导电互连上面形成一低介电常数介质层。去除介质层的一部分以露出导电互连的顶部表面，以在相邻导电互连间形成多个介质层部分。从而减小多个导电互连之间的交叉干扰，同时避免散热减少和机械张力增加产生的缺陷。

全文：详细说明书附图共17页